Terafab预计明年接收ASML首台EUV极紫外线光刻印机台
2026-10-15分类：网络百科 阅读（）
马斯克旗下的人工智慧晶片基础设施Terafab，预计明年中将接收 ASML（艾斯摩尔）首台极紫外线（EUV）光刻印机台。根据相关媒体分析报导，由于研发设施主体建筑预计要到2027 年底才能竣工，后续仍需数个月进行工具安装与搬迁，这台高阶扫描仪可能面临短暂闲置的状况，即便如此，Terafab 早期取得关键设备仍有助于保障后续晶片研发可顺利推进。
Terafab 规划引进英特尔14A 制程
特斯拉于4 月在德州Giga Texas 北园区为研发厂房举行破土仪式，市场分析预估该建筑需时15 个月竣工，需要约6 个月时间完成设备安装与调校，随后方能展开晶圆试产，在设备选择上，Terafab 第一代产品将采用传统Low-NA（低数值孔径）EUV 微影系统，暂不采用FEL（自由电子雷射) 光源技术。由于Terafab 规划引进英特尔14A 制程技术，使用标准化微影工具能大幅降低设备验证与光罩调整的复杂度，加速整体量产时程。
量产时程超前部署
SpaceX（太空探索技术公司）选定德州Grimes County（格莱姆斯郡）作为Terafab 第一期量产厂址，于今年第三季展开基础结构施工，根据研发机构评估，量产厂预计将从2029 年底开始运作、于2030 年中实现全规模量产。
值得注意的是SpaceX 早在去年4 月即已着手下订半导体制造设备，早于官方公开宣布选址的时间点，有鉴于先进半导体设备交付期较长，此种提前布局的策略确保了明年中能顺利开展设备安装作业。
晶片制程竞争激烈
英特尔预计于明年下半年对14A （1.4 奈米级）制程进行风险量产阶段，时程比Terafab 格莱姆斯厂提早约1.5 年，台积电亦计划于2029 年底推出采用第二代奈米片电晶体与背面供电设计的A12 (1.2 奈米) 制程。
虽然Terafab 投入量产时的技术并非市场最新节点，但因其主要服务对象为SpaceX、Tesla 及xAI 等集团内部企业，采用成熟的先进制程有助于确保良好良率，同时透过自建产线抵消外部代工所带来的高昂成本。
Tags：
